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5827078CYD09S72V18-200BBXC-Bild.Cypress Semiconductor

CYD09S72V18-200BBXC

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    CYD09S72V18-200BBXC
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    CYD09S72V18-200BBXC.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V
  • Technologie
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    256-FBGA (17x17)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    256-LBGA
  • Andere Namen
    CYD09S72V18200BBXC
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    5 (48 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    9Mb (128K x 72)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 9Mb (128K x 72) Parallel 200MHz 3.3ns 256-FBGA (17x17)
  • Uhrfrequenz
    200MHz
  • Basisteilenummer
    CYD09S72
  • Zugriffszeit
    3.3ns

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Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 256FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
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CYD18S72V-100BBC

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Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 484FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
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CYD09S72V18-200BGXI

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Beschreibung: IC SRAM 9M PARALLEL 484FBGA

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Hersteller: Cypress Semiconductor
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CYD09S36V18-200BBXC

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Beschreibung: IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
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CYD09S72V18-250BBXC

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CYD09S72V-167BBC

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CYD09S36V18-WW14

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CYD18S36V18-167BBAI

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