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Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > S26KL512SDABHV023
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S26KL512SDABHV023

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    S26KL512SDABHV023
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 512M PARALLEL 100MHZ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    FLASH - NOR
  • Serie
    HyperFlash™ KL
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NOR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 100MHz 96ns
  • Uhrfrequenz
    100MHz
  • Zugriffszeit
    96ns
S26KS128SDABHA030

S26KS128SDABHA030

Beschreibung: IC FLASH 128M PARALLEL 24FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
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S26KS128SDABHB030

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S26KL512SDABHN020

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S26KL512SDABHA030

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S26KS128SDGBHI030

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S26KL512SDABHB023

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S26KS128SDGBHB030

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S26KS128SDGBHA030

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S26KS128SDABHV030

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S26KL512SDABHV020

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S26KL512SDABHI020

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S26KL512SDABHI030

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S26KL512SDABHN030

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S26KL512SDABHV030

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S26KL512SDABHB030

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S26KL512SDABHM030

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S26KS128SDABHN030

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S26KS128SDABHI030

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S26KL512SDABHB020

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