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  • Artikelnummer
    S27KL0641DABHI023
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 64M PARALLEL 24FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    S27KL0641DABHI023.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    DRAM
  • Supplier Device-Gehäuse
    24-FBGA (6x8)
  • Serie
    HyperRAM™ KL
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    24-VBGA
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    64Mb (8M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    15 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    DRAM Memory IC 64Mb (8M x 8) Parallel 100MHz 40ns 24-FBGA (6x8)
  • Uhrfrequenz
    100MHz
  • Zugriffszeit
    40ns

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Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 166MHZ

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Beschreibung: IC 64 MB FLASH MEMORY

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Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 24BGA

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Beschreibung: IC NOR

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