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4285337S29GL01GS10FHSS13-Bild.Cypress Semiconductor

S29GL01GS10FHSS13

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  • Artikelnummer
    S29GL01GS10FHSS13
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 1G PARALLEL 64BGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    60ns
  • Spannungsversorgung
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    FLASH - NOR
  • Supplier Device-Gehäuse
    64-Fortified BGA (13x11)
  • Serie
    GL-S
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    64-LBGA
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    1Gb (64M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NOR Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 100ns 64-Fortified BGA (13x11)
  • Zugriffszeit
    100ns
S29GL01GS10FAI020

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 64BGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
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S29GL01GS10TFA020

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Beschreibung: IC 1 GB FLASH MEMORY

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S29GL01GS10DHSS43

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S29GL01GS10FHI010

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 64BGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
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S29GL01GS10FAI010

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Hersteller: Cypress Semiconductor
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S29GL01GS10SFI020

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL

Hersteller: Cypress Semiconductor
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S29GL01GS10FHSS10

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 64BGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
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S29GL01GS10FHSS30

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S29GL01GS10FHI023

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Hersteller: Cypress Semiconductor
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S29GL01GS10FAI023

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 64BGA

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S29GL01GS10FHSS40

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S29GL01GS10TFA023

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Beschreibung: IC 1 GB FLASH MEMORY

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S29GL01GS10FHSS43

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S29GL01GS10FHSS23

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S29GL01GS10FHSS33

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S29GL01GS10FHI013

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S29GL01GS10TFA010

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S29GL01GS10FHSS20

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