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5761594S29GL01GS10TFI023-Bild.Cypress Semiconductor

S29GL01GS10TFI023

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  • Artikelnummer
    S29GL01GS10TFI023
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    S29GL01GS10TFI023.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    60ns
  • Spannungsversorgung
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    FLASH - NOR
  • Supplier Device-Gehäuse
    56-TSOP
  • Serie
    GL-S
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    1Gb (64M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NOR Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 100ns 56-TSOP
  • Zugriffszeit
    100ns

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP

Hersteller: Cypress Semiconductor
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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 64BGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
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S29GL01GS11DHIV20

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 64FBGA

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S29GL01GS11DHI010

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 64FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
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S29GL01GS10TFI013

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP

Hersteller: Cypress Semiconductor
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S29GL01GS11DHB020

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 64BGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
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S29GL01GS10SFI020

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL

Hersteller: Cypress Semiconductor
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S29GL01GS10FHSS40

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 64BGA

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Beschreibung: IC 1 GB FLASH MEMORY

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S29GL01GS11DHAV23

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Beschreibung: IC 1G FLASH MEMORY

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S29GL01GS10TFA010

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Beschreibung: IC 1 GB FLASH MEMORY

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S29GL01GS11DHI020

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S29GL01GS10TFA023

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