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S29GL512N11FFA023

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  • Artikelnummer
    S29GL512N11FFA023
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 512M PARALLEL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    110ns
  • Spannungsversorgung
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    FLASH - NOR
  • Serie
    Automotive, AEC-Q100, GL-N
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    512Mb (64M x 8, 32M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NOR Memory IC 512Mb (64M x 8, 32M x 16) Parallel 110ns
  • Zugriffszeit
    110ns

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Hersteller: Cypress Semiconductor
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Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

Hersteller: Cypress Semiconductor
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S29GL512P10FAIR10

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Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
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Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL

Hersteller: Cypress Semiconductor
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S29GL256S90TFI020

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Beschreibung: IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP

Hersteller: Cypress Semiconductor
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S29GL256S90TFI023

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Beschreibung: IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP

Hersteller: Cypress Semiconductor
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Beschreibung: IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP

Hersteller: Cypress Semiconductor
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S29GL512P10FFCR10

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Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
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Beschreibung: IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP

Hersteller: Cypress Semiconductor
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S29GL512P10FAIR12

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S29GL512N10FFA010

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Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL

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Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL

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