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S29GL512T12DHN010

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  • Artikelnummer
    S29GL512T12DHN010
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    S29GL512T12DHN010.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    60ns
  • Spannungsversorgung
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    FLASH - NOR
  • Supplier Device-Gehäuse
    64-FBGA (9x9)
  • Serie
    GL-T
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    64-LBGA
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 125°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NOR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 120ns 64-FBGA (9x9)
  • Zugriffszeit
    120ns

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Hersteller: Cypress Semiconductor
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Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL

Hersteller: Cypress Semiconductor
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Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
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Beschreibung: IC 512 MB FLASH MEMORY

Hersteller: Cypress Semiconductor
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S29GL512T11FHIV20

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Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
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S29GL512T12DHVV20

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Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
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S29GL512T12TFN020

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Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL

Hersteller: Cypress Semiconductor
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Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

Hersteller: Cypress Semiconductor
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S29GL512T12TFN023

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Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL

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Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL

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Beschreibung: IC 512 MB FLASH MEMORY

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Beschreibung: IC 512 MB FLASH MEMORY

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Beschreibung: IC NOR

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