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S29VS256R0SBHW003

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  • Artikelnummer
    S29VS256R0SBHW003
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 256M PARALLEL 44FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    S29VS256R0SBHW003.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    60ns
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Technologie
    FLASH - NOR
  • Supplier Device-Gehäuse
    44-FBGA (7.7x6.2)
  • Serie
    VS-R
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    44-VFBGA
  • Betriebstemperatur
    -25°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    22 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NOR Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 108MHz 80ns 44-FBGA (7.7x6.2)
  • Uhrfrequenz
    108MHz
  • Zugriffszeit
    80ns

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Beschreibung: IC FLASH 256M PARALLEL 44FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
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S29VS128RABBHI010

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Beschreibung: IC FLASH 128M PARALLEL 44FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
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S29WS064RABBHI000

S29WS064RABBHI000

Beschreibung: IC FLASH 64M PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
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S29VS256R0SBHW013

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Beschreibung: IC FLASH 256M PARALLEL 44FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
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Beschreibung: IC FLASH 256M PARALLEL 44FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
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S29VS256R0SBHW000

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Beschreibung: IC FLASH 256M PARALLEL 44FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
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S29VS128RABBHI000

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Beschreibung: IC FLASH 128M PARALLEL 44FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
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S29VS064RABBHW013

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Beschreibung: IC 64 MB FLASH MEMORY

Hersteller: Cypress Semiconductor
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S29VS128RABBHW013

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S29VS256RABBHW000

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