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S29WS512P0SBFW000

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    S29WS512P0SBFW000
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 512M PARALLEL 84FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    60ns
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Technologie
    FLASH - NOR
  • Supplier Device-Gehäuse
    84-FBGA (11.6x8)
  • Serie
    WS-P
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    84-VFBGA
  • Andere Namen
    428-4477
    S29WS512P0SBFW000-ND
  • Betriebstemperatur
    -25°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    512Mb (32M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    15 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NOR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 80MHz 80ns 84-FBGA (11.6x8)
  • Uhrfrequenz
    80MHz
  • Zugriffszeit
    80ns
S29WS512P0PBFW000

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Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
vorrätig
S29WS256P0SBFW002

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Beschreibung: IC FLASH 256M PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
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Beschreibung: IC FLASH 256M PARALLEL 104MHZ

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S29WS512R0SBHW200E

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Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL 104MHZ

Hersteller: Cypress Semiconductor
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S29XS064RABBHW000

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Beschreibung: IC FLASH 64M PARALLEL 44FBGA

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S29WS256RAABHW000

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S29WS512PABBFW000

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Beschreibung: IC FLASH 64M PARALLEL 44FBGA

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S29WS512P0PBFW0002

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S29WS512R0SBHW000

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S29XS064RABBHI000

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Beschreibung: IC FLASH 64M PARALLEL 44FBGA

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S29WS256RAABHW200E

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S29WS256PABBAW000

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S29WS512P0SBFW003

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S29XS064RABBHI010

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