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1957112S34ML04G200BHI903-Bild.Cypress Semiconductor

S34ML04G200BHI903

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    S34ML04G200BHI903
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    25ns
  • Spannungsversorgung
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    FLASH - NAND
  • Supplier Device-Gehäuse
    63-BGA (11x9)
  • Serie
    ML-2
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    63-VFBGA
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    4Gb (512M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NAND Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 63-BGA (11x9)
S34ML04G200TFI503

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Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Cypress Semiconductor
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S34ML04G200BHI500

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Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA

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S34ML04G200BHI900

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S34ML04G104BHV013

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