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S34ML08G201BHB000

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    S34ML08G201BHB000
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 8G PARALLEL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    25ns
  • Spannungsversorgung
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    FLASH - NAND
  • Serie
    Automotive, AEC-Q100, ML-2
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    8Gb (1G x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NAND Memory IC 8Gb (1G x 8) Parallel
S34ML08G201BHA000

S34ML08G201BHA000

Beschreibung: IC FLASH 8G PARALLEL 63BGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
vorrätig
S34ML08G101TFB000

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Beschreibung: IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Cypress Semiconductor
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S34ML08G101TFA000

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Beschreibung: IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Cypress Semiconductor
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S34ML08G201BHV003

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Beschreibung: IC FLASH 8G PARALLEL

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S34ML08G101TFI203

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Beschreibung: IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

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S34ML08G201BHB003

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Beschreibung: IC FLASH 8G PARALLEL

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Beschreibung: IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

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S34ML08G101TFB003

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Beschreibung: IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

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S34ML08G201BHI000

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Beschreibung: IC FLASH 8G PARALLEL 63BGA

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S34ML08G201BHA003

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Beschreibung: IC FLASH 8G PARALLEL

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S34ML08G101TFI000

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Beschreibung: IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

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Beschreibung: IC FLASH 8G PARALLEL 63BGA

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