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4603312S34MS01G204BHI010-Bild.Cypress Semiconductor

S34MS01G204BHI010

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    S34MS01G204BHI010
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    45ns
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Technologie
    FLASH - NAND
  • Supplier Device-Gehäuse
    63-BGA (11x9)
  • Serie
    MS-2
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    63-VFBGA
  • Andere Namen
    428-4277
    S34MS01G204BHI010-ND
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    1Gb (64M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NAND Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 45ns 63-BGA (11x9)
  • Zugriffszeit
    45ns
S34MS01G200TFI000

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Cypress Semiconductor
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S34MS01G200TFI903

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Hersteller: Cypress Semiconductor
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S34MS01G200TFB003

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL

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S34MS01G204BHI013

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Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 63BGA

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

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Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 63BGA

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Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL

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S34MS02G100BHI003

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Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 63BGA

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S34MS01G204TFI010

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL

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S34MS01G204BHA013

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Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

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