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S34MS02G104BHB013

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  • Artikelnummer
    S34MS02G104BHB013
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 2G PARALLEL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    S34MS02G104BHB013.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    45ns
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Technologie
    FLASH - NAND
  • Serie
    Automotive, AEC-Q100, MS-1
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    2Gb (128M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NAND Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 45ns
  • Zugriffszeit
    45ns

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