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S34SL04G200BHI003

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    S34SL04G200BHI003
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 4G PARALLEL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    FLASH - NAND
  • Serie
    SL-2
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    4Gb (512M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NAND Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 25ns
  • Zugriffszeit
    25ns
S34SL01G200BHV000

S34SL01G200BHV000

Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL

Hersteller: Cypress Semiconductor
vorrätig
S34MS08G201BHI003

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Beschreibung: IC FLASH 8G PARALLEL

Hersteller: Cypress Semiconductor
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Beschreibung: IC FLASH 8G PARALLEL 63BGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
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S34SL02G200BHV000

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Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL

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Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL

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Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL

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Beschreibung: IC FLASH 8G PARALLEL

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL

Hersteller: Cypress Semiconductor
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Beschreibung: IC FLASH 16G PARALLEL 63BGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
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Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL

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Beschreibung: IC FLASH 8G PARALLEL

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Beschreibung: IC FLASH 8G PARALLEL

Hersteller: Cypress Semiconductor
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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL

Hersteller: Cypress Semiconductor
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Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL

Hersteller: Cypress Semiconductor
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Beschreibung: IC FLASH 16G PARALLEL 63BGA

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Beschreibung: IC FLASH 8G PARALLEL

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Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL

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