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Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > V29GL512P10TAI010
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439313V29GL512P10TAI010-Bild.Cypress Semiconductor

V29GL512P10TAI010

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    V29GL512P10TAI010
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    FLASH - NOR
  • Supplier Device-Gehäuse
    56-TSOP (18.4x14)
  • Serie
    GL-P
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    512Mb (32M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NOR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 56-TSOP (18.4x14)

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Das Folgende sind "V29GL512P10TAI010" -Einziper.
V29GL01GP11TFIR10

V29GL01GP11TFIR10

Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP

Hersteller: Cypress Semiconductor
vorrätig
RFQ
V29AL008D55TAIR10

V29AL008D55TAIR10

Beschreibung: IC MEMORY NOR

Hersteller: Cypress Semiconductor
vorrätig
RFQ
CY14B256K-SP45XI

CY14B256K-SP45XI

Beschreibung: IC NVSRAM 256K PARALLEL 48SSOP

Hersteller: Cypress Semiconductor
vorrätig
RFQ
V29GL01GP11FFIR20

V29GL01GP11FFIR20

Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 64FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
vorrätig
RFQ
V29F400BT-150SC

V29F400BT-150SC

Beschreibung: IC MEMORY NOR

Hersteller: Cypress Semiconductor
vorrätig
RFQ
V29F040B-150JC

V29F040B-150JC

Beschreibung: IC MEMORY NOR

Hersteller: Cypress Semiconductor
vorrätig
RFQ
93LC76C-E/SN

93LC76C-E/SN

Beschreibung: IC EEPROM 8K SPI 3MHZ 8SOIC

Hersteller: Micrel / Microchip Technology
vorrätig
RFQ
V29GL01GP11TAIR20

V29GL01GP11TAIR20

Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP

Hersteller: Cypress Semiconductor
vorrätig
RFQ
MT46H16M32LFCM-6 L IT:B

MT46H16M32LFCM-6 L IT:B

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
AT29C040A-15JI

AT29C040A-15JI

Beschreibung: IC FLASH 4M PARALLEL 32PLCC

Hersteller: Micrel / Microchip Technology
vorrätig
RFQ
7005S70GB

7005S70GB

Beschreibung: IC SRAM 64K PARALLEL 68PGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
RFQ
70V25S25PFI8

70V25S25PFI8

Beschreibung: IC SRAM 128K PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
RFQ
S29GL512T10TFA010

S29GL512T10TFA010

Beschreibung: IC NOR

Hersteller: Cypress Semiconductor
vorrätig
RFQ
M29W320EB70N6

M29W320EB70N6

Beschreibung: IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT41K256M16V90BWC1

MT41K256M16V90BWC1

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
IS42S16400F-6TLI-TR

IS42S16400F-6TLI-TR

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
vorrätig
RFQ
V29F010B-120PC

V29F010B-120PC

Beschreibung: IC MEMORY NOR

Hersteller: Cypress Semiconductor
vorrätig
RFQ
S29GL512T10TFA023

S29GL512T10TFA023

Beschreibung: IC 512M FLASH MEMORY

Hersteller: Cypress Semiconductor
vorrätig
RFQ
V29GL01GP11FAIR20

V29GL01GP11FAIR20

Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 64FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
vorrätig
RFQ
V29GL512P11TAI020

V29GL512P11TAI020

Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

Hersteller: Cypress Semiconductor
vorrätig
RFQ
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