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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 10A06-T
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666039310A06-T-Bild.Diodes Incorporated

10A06-T

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    10A06-T
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 800V 10A R6
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    10A06-T.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 10A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    800V
  • Supplier Device-Gehäuse
    R-6
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    R6, Axial
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 800V 10A Through Hole R-6
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 800V
  • Strom - Richt (Io)
    10A
  • Kapazität @ Vr, F
    80pF @ 4V, 1MHz

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Zahlung
Das Folgende sind "10A06-T" -Einziper.
10A05-T

10A05-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 10A R6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
10A009

10A009

Beschreibung: XFRMR LAMINATED THRU HOLE

Hersteller: Tamura
vorrätig
RFQ
10AS016C3U19I2SG

10AS016C3U19I2SG

Beschreibung: IC SOC FPGA 192 I/O 484UBGA

Hersteller: Intel® FPGAs
vorrätig
RFQ
10AS016C3U19E2LG

10AS016C3U19E2LG

Beschreibung: IC SOC FPGA 192 I/O 484UBGA

Hersteller: Intel® FPGAs
vorrätig
RFQ
10A01-TP

10A01-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 10A R-6

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
10AS016C4U19E3LG

10AS016C4U19E3LG

Beschreibung: IC SOC FPGA 192 I/O 484UBGA

Hersteller: Intel® FPGAs
vorrätig
RFQ
10A015

10A015

Beschreibung: TRANS RF BIPO 6W 750MA 55FT2

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
10AS016C4U19I3SG

10AS016C4U19I3SG

Beschreibung: IC SOC FPGA 192 I/O 484UBGA

Hersteller: Intel® FPGAs
vorrätig
RFQ
10AMPS-CSTKIT

10AMPS-CSTKIT

Beschreibung: 10 AMPS CURRENT SENSE TRAN PBC

Hersteller: Pulse Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
10A060

10A060

Beschreibung: TRANS RF BIPO 21W 3A 55FT-2

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
10AS016C4U19I3LG

10AS016C4U19I3LG

Beschreibung: IC SOC FPGA 192 I/O 484UBGA

Hersteller: Intel® FPGAs
vorrätig
RFQ
10AS016C3U19I2LG

10AS016C3U19I2LG

Beschreibung: IC SOC FPGA 192 I/O 484UBGA

Hersteller: Intel® FPGAs
vorrätig
RFQ
10AS016C4U19E3SG

10AS016C4U19E3SG

Beschreibung: IC SOC FPGA 192 I/O 484UBGA

Hersteller: Intel® FPGAs
vorrätig
RFQ
10AS016E3F27E1HG

10AS016E3F27E1HG

Beschreibung: IC SOC FPGA 240 I/O 672FBGA

Hersteller: Intel® FPGAs
vorrätig
RFQ
10A02-T

10A02-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 10A R6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
10A07-T

10A07-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 10A R6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
10AS016C3U19E2SG

10AS016C3U19E2SG

Beschreibung: IC SOC FPGA 192 I/O 484UBGA

Hersteller: Intel® FPGAs
vorrätig
RFQ
10A01-T

10A01-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 10A R6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
10A04-T

10A04-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 10A R6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
10A030

10A030

Beschreibung: TRANS RF BIPO 13W 1.5A 55FT2

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
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