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30455021N4002GL-T-Bild.Diodes Incorporated

1N4002GL-T

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N4002GL-T
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 1A DO41
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1N4002GL-T.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    100V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-41
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    2µs
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 100V 1A Through Hole DO-41
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 100V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    8pF @ 4V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    1N4002

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Das Folgende sind "1N4002GL-T" -Einziper.
1N4002GP-M3/73

1N4002GP-M3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4002GHB0G

1N4002GHB0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N4002G BK

1N4002G BK

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE DO41

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4002GPE-M3/54

1N4002GPE-M3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
1N4002GP-M3/54

1N4002GP-M3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
1N4002GP-E3/73

1N4002GP-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4002GP-E3/54

1N4002GP-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4002GPE-E3/73

1N4002GPE-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4002GHR0G

1N4002GHR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N4002G-T

1N4002G-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO41

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N4002GHR1G

1N4002GHR1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N4002G B0G

1N4002G B0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N4002G R0G

1N4002G R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N4002GP

1N4002GP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO41

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4002GHA0G

1N4002GHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N4002G R1G

1N4002G R1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N4002GPE-M3/73

1N4002GPE-M3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE DO-204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4002GPE-E3/91

1N4002GPE-E3/91

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4002GL TR

1N4002GL TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO41

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4002GPE-E3/54

1N4002GPE-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
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