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54119141N4448WSF-7-Bild.Diodes Incorporated

1N4448WSF-7

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150000+
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N4448WSF-7
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323F
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1N4448WSF-7.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.25V @ 150mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    75V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOD-323F
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    4ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-90, SOD-323F
  • Andere Namen
    1N4448WSF-7DITR
    1N4448WSF7
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 75V 250mA Surface Mount SOD-323F
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    2.5µA @ 75V
  • Strom - Richt (Io)
    250mA
  • Kapazität @ Vr, F
    4pF @ 0V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    1N4448W

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1N4448WSQ-7-F

1N4448WSQ-7-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N4448WSTR

1N4448WSTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
1N4448WS-HE3-18

1N4448WS-HE3-18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4448_T50A

1N4448_T50A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4448WS

1N4448WS

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323F

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4448WS-E3-08

1N4448WS-E3-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4448_T26A

1N4448_T26A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4448WTR

1N4448WTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
1N4448WS-G3-08

1N4448WS-G3-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4448_S00Z

1N4448_S00Z

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4448WT

1N4448WT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD523F

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4448WS-7

1N4448WS-7

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N4448WS-7-F

1N4448WS-7-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N4448WS-HE3-08

1N4448WS-HE3-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4448WS RRG

1N4448WS RRG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 150MA SOD323

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N4448WS-G3-18

1N4448WS-G3-18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4448WSFQ-7

1N4448WSFQ-7

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323F

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N4448WS-E3-18

1N4448WS-E3-18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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1N4448WX-TP

1N4448WX-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1N4448X-TP

1N4448X-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD523

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
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