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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Brücke-Gleichrichter > 2W06G
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48146092W06G-Bild.Diodes Incorporated

2W06G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    2W06G
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    RECT BRIDGE GPP 2A 600V WOG
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    2W06G.pdf
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    600V
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 2A
  • Technologie
    Standard
  • Supplier Device-Gehäuse
    WOG
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    4-Circular, WOG
  • Andere Namen
    2W06GDI
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Single Phase
  • detaillierte Beschreibung
    Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole WOG
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    2A
  • Basisteilenummer
    2W06

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Zahlung
Das Folgende sind "2W06G" -Einziper.
2W01G

2W01G

Beschreibung: RECT BRIDGE GPP 2A 100V WOG

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
2W02G-E4/51

2W02G-E4/51

Beschreibung: DIODE BRIDGE 2A 200V 1PH WOG

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
2W08M

2W08M

Beschreibung: DIODE BRIDGE 800V 2A WOM

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
2W02G

2W02G

Beschreibung: RECT BRIDGE GPP 2A 200V WOG

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
2W04M

2W04M

Beschreibung: DIODE BRIDGE 400V 2A WOM

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
2W04G

2W04G

Beschreibung: DIODE BRIDGE GPP 2.0A 400V WOB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2W01M

2W01M

Beschreibung: DIODE BRIDGE 100V 2A WOM

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
2W04G-E4/51

2W04G-E4/51

Beschreibung: RECTIFIER BRIDGE 2A 400V WOG

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
2W005M

2W005M

Beschreibung: DIODE BRIDGE 50V 2A WOM

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
2W08G

2W08G

Beschreibung: DIODE BRIDGE GPP 2.0A 800V WOB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2W01G

2W01G

Beschreibung: DIODE BRIDGE GPP 2.0A 100V WOB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2W06M

2W06M

Beschreibung: DIODE BRIDGE 600V 2A WOM

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
2W01G-E4/51

2W01G-E4/51

Beschreibung: DIODE BRIDGE 2A 100V 1PH WOG

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
2W02M

2W02M

Beschreibung: DIODE BRIDGE 200V 2A WOM

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
2W06G-E4/51

2W06G-E4/51

Beschreibung: RECTIFIER BRIDGE 2A 600V WOG

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
2W04G

2W04G

Beschreibung: RECT BRIDGE GPP 2A 400V WOG

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
2W02G

2W02G

Beschreibung: DIODE BRIDGE GPP 2.0A 200V WOB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2W06G

2W06G

Beschreibung: DIODE BRIDGE GPP 2.0A 600V WOB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2W08G

2W08G

Beschreibung: RECT BRIDGE GPP 8A 100V WOG

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
2W08G-E4/51

2W08G-E4/51

Beschreibung: DIODE BRIDGE 2A 800V 1PH WOG

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
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