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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > D6G-T
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6902050D6G-T-Bild.Diodes Incorporated

D6G-T

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    D6G-T
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 800V 1A T1
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    D6G-T.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    800V
  • Supplier Device-Gehäuse
    T-1
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    2µs
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    T1, Axial
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    7 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 800V 1A Through Hole T-1
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 800V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    8pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "D6G-T" -Einziper.
R5001410XXWA

R5001410XXWA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.4KV 100A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
ESH2CHE3/5BT

ESH2CHE3/5BT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SR806 A0G

SR806 A0G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 8A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N4585GP-E3/54

1N4585GP-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
SIDC08D60C6

SIDC08D60C6

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 30A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
EM 1AV0

EM 1AV0

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
RSFBL R3G

RSFBL R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 500MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
P300M-E3/54

P300M-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
VS-HFA08TB60-N3

VS-HFA08TB60-N3

Beschreibung: DIODE HEXFRED 8A 600V TO-220AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
NSF8DTHE3/45

NSF8DTHE3/45

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
B240S1F-7

B240S1F-7

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 2A SOD123F

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
SB330A-E3/73

SB330A-E3/73

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
AU1PKHM3/85A

AU1PKHM3/85A

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 800V 1A DO220AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
AK 09

AK 09

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 90V 700MA AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
RGP30DHE3/54

RGP30DHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RFN10BM6SFHTL

RFN10BM6SFHTL

Beschreibung: SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RM 1C

RM 1C

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 800MA AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
CDBC340-HF

CDBC340-HF

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AB

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
VS-MBRB1035TRLPBF

VS-MBRB1035TRLPBF

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 35V 10A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
MBRH15040RL

MBRH15040RL

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 150A D-67

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
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