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Zuhause > Produkte > Circuit Protection > TVS-Dioden > D6V3H1U2LP-7B
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5849302D6V3H1U2LP-7B-Bild.Diodes Incorporated

D6V3H1U2LP-7B

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vorrätig
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30000+
$0.05
50000+
$0.044
100000+
$0.043
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    D6V3H1U2LP-7B
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 6.3V 12.5V DFN1006-2
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Datenblätte
    D6V3H1U2LP-7B.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    6.3V (Max)
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    12.5V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    6.5V
  • Unidirektionale Kanäle
    1
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    X1-DFN1006-2
  • Serie
    -
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    375W
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    2-UFDFN
  • Andere Namen
    D6V3H1U2LP-7B-ND
    D6V3H1U2LP-7BDITR
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    21 Weeks
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    30A (8/20µs)
  • Kapazität @ Frequenz
    200pF @ 1MHz
  • Anwendungen
    General Purpose

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Zahlung
Das Folgende sind "D6V3H1U2LP-7B" -Einziper.
P4KE11-E3/54

P4KE11-E3/54

Beschreibung: TVS DIODE 8.92V 16.2V DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
P6SMB68AT3

P6SMB68AT3

Beschreibung: TVS DIODE 58.1V 92V SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
D6V3H1U2LP16-7

D6V3H1U2LP16-7

Beschreibung: TVS DIODE 6.3V 11.5V U-DFN1610-2

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
P4SMA68A R3G

P4SMA68A R3G

Beschreibung: TVS DIODE 58.1V 92V DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
M5KP8.0CAE3

M5KP8.0CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 8VWM 13.6VC DO204AR

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
P6KE24AE3/TR13

P6KE24AE3/TR13

Beschreibung: TVS DIODE 20.5V 33.2V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
5KP40CA-HR

5KP40CA-HR

Beschreibung: TVS DIODE 40VWM 64.5VC AXIAL

Hersteller: Littelfuse Inc.
vorrätig
RFQ
MXLPLAD15KP18A

MXLPLAD15KP18A

Beschreibung: TVS DIODE 18V 29.2V PLAD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCG8.0A

MSMCG8.0A

Beschreibung: TVS DIODE 8V 13.6V DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLSMLG54CA

MXLSMLG54CA

Beschreibung: TVS DIODE 54VWM 87.1VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1.5SMC440AHE3_A/H

1.5SMC440AHE3_A/H

Beschreibung: TVS DIODE 376VWM 602VC SMCJ

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
P6KE20CA-E3/73

P6KE20CA-E3/73

Beschreibung: TVS DIODE 17.1VWM 27.7VC DO204AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
SMBJ48AHM4G

SMBJ48AHM4G

Beschreibung: TVS DIODE 48V 77.4V DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
MXLUPTB28E3

MXLUPTB28E3

Beschreibung: TVS DIODE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
ICT-8

ICT-8

Beschreibung: TVS DIODE 8VWM 11.5VC DO13

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
TV30C151J-G

TV30C151J-G

Beschreibung: TVS DIODE 150V 243V DO214AB

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
MXLSMLG120AE3

MXLSMLG120AE3

Beschreibung: TVS DIODE 120V 193V DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
P4SMA160AHM2G

P4SMA160AHM2G

Beschreibung: TVS DIODE 136V 219V DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
BZW04-128BHA0G

BZW04-128BHA0G

Beschreibung: TVS DIODE 128V 207V DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
P6KE350A-E3/54

P6KE350A-E3/54

Beschreibung: TVS DIODE 300V 482V DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
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