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5450838DDTA114GCA-7-F-Bild.Diodes Incorporated

DDTA114GCA-7-F

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  • Artikelnummer
    DDTA114GCA-7-F
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DDTA114GCA-7-F.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • Transistor-Typ
    PNP - Pre-Biased
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-23-3
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    10 kOhms
  • Leistung - max
    200mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    DDTA114GCA-FDITR
    DDTA114GCA7F
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    250MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    30 @ 5mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA (ICBO)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA
  • Basisteilenummer
    DDTA114

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Hersteller: Diodes Incorporated
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Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 200MW SC59-3

Hersteller: Diodes Incorporated
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Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523

Hersteller: Diodes Incorporated
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Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
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DDTA114EUA-7-F

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Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
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DDTA114GUA-7

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Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
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DDTA113ZUA-7-F

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Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
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DDTA114EUA-7

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Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
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