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4756DDTB122JC-7-F-Bild.Diodes Incorporated

DDTB122JC-7-F

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DDTB122JC-7-F
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DDTB122JC-7-F.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 2.5mA, 50mA
  • Transistor-Typ
    PNP - Pre-Biased
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-23-3
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    4.7 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    220 Ohms
  • Leistung - max
    200mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    200MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    47 @ 50mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    500mA
  • Basisteilenummer
    DTB122

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