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DMG1026UVQ-7

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMG1026UVQ-7
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 2 N-CH 60V 440MA SOT563
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.8V @ 250µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-563
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.8 Ohm @ 500mA, 10V
  • Leistung - max
    650mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-563, SOT-666
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    26 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    32pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.45pC @ 4.5V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET-Merkmal
    Logic Level Gate
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 440mA (Ta) 650mW Surface Mount SOT-563
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    440mA (Ta)

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Das Folgende sind "DMG1026UVQ-7" -Einziper.
DMG1013UWQ-7

DMG1013UWQ-7

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 0.82A SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG1024UV-7

DMG1024UV-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG1553-3

DMG1553-3

Beschreibung: TRANSFORMER PBC

Hersteller: Pulse Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
DMG10N60SCT

DMG10N60SCT

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG204010R

DMG204010R

Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A MINI6

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DMG1013UWQ-13

DMG1013UWQ-13

Beschreibung: MOSFET PCH 20V 820MA SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG1016VQ-13

DMG1016VQ-13

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V SOT563

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG1026UV-7

DMG1026UV-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT-563

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG1016V-7

DMG1016V-7

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V SOT563

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG1016UDW-7

DMG1016UDW-7

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG201020R

DMG201020R

Beschreibung: TRANS NPN PNP 50V MINI5-G3-B

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DMG1553-45

DMG1553-45

Beschreibung: TRANSFORMER PBC

Hersteller: Pulse Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
DMG1029SV-7

DMG1029SV-7

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 60V SOT563

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG1016VQ-7

DMG1016VQ-7

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V SOT563

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG1023UV-7

DMG1023UV-7

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG1013UW-7

DMG1013UW-7

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG204020R

DMG204020R

Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 0.5A MINI6

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DMG1553-2

DMG1553-2

Beschreibung: TRANSFORMER PBC

Hersteller: Pulse Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
DMG1553-1

DMG1553-1

Beschreibung: TRANSFORMER PBC

Hersteller: Pulse Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
DMG1553-5

DMG1553-5

Beschreibung: TRANSFORMER PBC

Hersteller: Pulse Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
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