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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > DMN3010LFG-13

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3681969

DMN3010LFG-13-Bild.

Diodes Incorporated

DMN3010LFG-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMN3010LFG-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMN3010LFG-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerDI3333-8
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.5 mOhm @ 18A, 10V
Verlustleistung (max)

900mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerWDFN
Andere Namen

DMN3010LFG-13DI
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2075pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

37nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 11A (Ta), 30A (Tc) 900mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

11A (Ta), 30A (Tc)

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Das Folgende sind "DMN3010LFG-13" -Einziper.

DMN3009LFVW-13

Beschreibung: MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3009SFGQ-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30VPOWERDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3009LFV-7

DMN3009LFV-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3010LFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3009SFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3010LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3009LFVW-7

Beschreibung: MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3012LFG-13

DMN3012LFG-13

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3010LK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 43A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3009SK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 30V 80A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3016LDV-13

DMN3016LDV-13

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3012LFG-7

DMN3012LFG-7

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3009SFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3016LDN-13

DMN3016LDN-13

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3016LDV-7

DMN3016LDV-7

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3008SFGQ-7

Beschreibung: MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3009LFV-13

DMN3009LFV-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3009SFGQ-13

Beschreibung: MOSFETN-CH 30VPOWERDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3015LSD-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3016LDN-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

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