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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > DMN3016LFDE-7

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6320808

DMN3016LFDE-7-Bild.

Diodes Incorporated

DMN3016LFDE-7

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Spezifikation

Artikelnummer

DMN3016LFDE-7
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 10A U-DFN2020-6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMN3016LFDE-7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

U-DFN2020-6 (Type E)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

12 mOhm @ 11A, 10V
Verlustleistung (max)

730mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-UDFN Exposed Pad
Andere Namen

DMN3016LFDE-7DI
DMN3016LFDE-7DI-ND
DMN3016LFDE-7DITR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

16 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1415pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25.1nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 10A (Ta) 730mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

10A (Ta)

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Das Folgende sind "DMN3016LFDE-7" -Einziper.

DMN3018SFGQ-13

Beschreibung: MOSFET NCH 30V 8.5A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3016LDV-13

DMN3016LDV-13

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3012LFG-7

DMN3012LFG-7

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3016LFDF-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3012LFG-13

DMN3012LFG-13

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3016LDN-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3015LSD-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3016LDV-7

DMN3016LDV-7

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3016LK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3018SFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3018SSD-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3018SFGQ-7

Beschreibung: MOSFET NCH 30V 8.5A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3016LDN-13

DMN3016LDN-13

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3010LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3016LFDE-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V U-DFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3018SFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3016LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3016LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3010LK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 43A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3016LFDF-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

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