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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > DMN3065LW-13

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1956212

DMN3065LW-13-Bild.

Diodes Incorporated

DMN3065LW-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMN3065LW-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 4A SOT323
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMN3065LW-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-323
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

52 mOhm @ 4A, 10V
Verlustleistung (max)

770mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SC-70, SOT-323
Andere Namen

DMN3065LW-13DITR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

16 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

465pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.7nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 4A (Ta) 770mW (Ta) Surface Mount SOT-323
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4A (Ta)
Basisteilenummer

DMN3065

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Das Folgende sind "DMN3065LW-13" -Einziper.

DMN3070SSN-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3053L-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3067LW-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3050S-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3053L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN30H4D0LFDE-7

DMN30H4D0LFDE-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3055LFDB-13

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 5A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN30H4D0L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V .25A SOT-23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3110LCP3-7

DMN3110LCP3-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.2A X2DFN1006-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN30H4D0LFDE-13

DMN30H4D0LFDE-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V 0.55A 6UDFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3052LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3042LFDF-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3051L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3052L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN30H14DLY-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V .21A SOT-89

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN30H4D0L-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V .25A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3065LW-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4A SOT-323

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3051LDM-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4A SOT26

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3067LW-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3055LFDB-7

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 5A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

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