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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > DMN6013LFGQ-13

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5671054

DMN6013LFGQ-13-Bild.

Diodes Incorporated

DMN6013LFGQ-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMN6013LFGQ-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMN6013LFGQ-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerDI3333-8
Serie

Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs

13 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max)

1W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerVDFN
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2577pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

55.4nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 10.3A (Ta), 45A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

10.3A (Ta), 45A (Tc)

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Das Folgende sind "DMN6013LFGQ-13" -Einziper.

DMN5L06VA-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN5L06W-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 280MA SC70-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN601VK-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-563

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN601WK-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 300MA SC70-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN6017SK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 60V 43A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN5L06VK-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN601TK-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN5L06WKQ-7

DMN5L06WKQ-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN601DMK-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN601DWKQ-7

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 41V 60V SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN5L06VAK-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN601K-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN601DWK-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-363

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN6013LFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN601VKQ-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN5L06VKQ-7

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 50V 280MA SOT563

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN6013LFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN5L06V-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN6013LFGQ-7

Beschreibung: MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN5L06WK-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 300MA SC70-3

Hersteller: Diodes Incorporated

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