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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > DMN6066SSS-13

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DMN6066SSS-13-Bild.

Diodes Incorporated

DMN6066SSS-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMN6066SSS-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 3.7A 8SO
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMN6066SSS-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SOP
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

66 mOhm @ 4.5A, 10V
Verlustleistung (max)

1.56W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

DMN6066SSS-13TR
DMN6066SSS13
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

26 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

502pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.3nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 3.7A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

3.7A (Ta)

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Das Folgende sind "DMN6066SSS-13" -Einziper.

DMN6068LK3Q-13

DMN6068LK3Q-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN6040SSD-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN6069SE-13

Beschreibung: MOSFETN-CH 60VSOT223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN6069SFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN6069SFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN6040SVTQ-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 5A TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN6069SFGQ-7

DMN6069SFGQ-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN6068SE-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN6040SSDQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 5.0A SO-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN6022SSD-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN6070SSD-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN6040SVTQ-13

Beschreibung: MOSFET NCH 60V 5A TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN6069SFGQ-13

DMN6069SFGQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN6066SSD-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN6070SFCL-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 3A 6-DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN6040SSS-13

Beschreibung: MOSFET N CH 60V 5.5A 8-SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN6040SK3-13

Beschreibung: MOSFET N CH 60V 20A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN6068LK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 6A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN6040SVT-7

Beschreibung: MOSFET N CH 60V 5A TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN6040SFDE-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 5.3A U-DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

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