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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > DMT5015LFDF-7

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DMT5015LFDF-7-Bild.

Diodes Incorporated

DMT5015LFDF-7

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Spezifikation

Artikelnummer

DMT5015LFDF-7
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMT5015LFDF-7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

6-UDFN2020 (2x2)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

15 mOhm @ 8A, 10V
Verlustleistung (max)

820mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-UDFN Exposed Pad
Andere Namen

DMT5015LFDF-7DITR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

16 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

902.7pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

50V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 50V 9.1A (Ta) 820mW (Ta) Surface Mount 6-UDFN2020 (2x2)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

9.1A (Ta)

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Das Folgende sind "DMT5015LFDF-7" -Einziper.

DMT4005SCT

DMT4005SCT

Beschreibung: MOSFET NCH 40V 100A TO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6007LFG-7

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6004SPS-13

DMT6004SPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 23A POWERDI5060

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6007LFG-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6005LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CHA 60V 13.5A SO8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT4011LFG-7

DMT4011LFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6004LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 22A

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT4P1K

Beschreibung: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics

vorrätig

DMT6005LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT4S1K-F

Beschreibung: CAP FILM 10000PF 10% 400VDC RAD

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics

vorrätig

DMT6004SCT

DMT6004SCT

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT4P22K-F

Beschreibung: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics

vorrätig

DMT6008LFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT4P1K-F

Beschreibung: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics

vorrätig

DMT4P22K

Beschreibung: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics

vorrätig

DMT5015LFDF-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT4D47K

Beschreibung: CAP FILM 4700PF 10% 400VDC RAD

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics

vorrätig

DMT4011LFG-13

DMT4011LFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6005LCT

DMT6005LCT

Beschreibung: MOSFET NCH 60V 100A TO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6002LPS-13

DMT6002LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060

Hersteller: Diodes Incorporated

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