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840169

DMTH4007LPSQ-13-Bild.

Diodes Incorporated

DMTH4007LPSQ-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMTH4007LPSQ-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET NCH 40V 15.5A POWERDI
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS-konform
Datenblätte

DMTH4007LPSQ-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerDI5060-8
Serie

Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)

2.7W (Ta), 150W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Andere Namen

DMTH4007LPSQ-13-ND
DMTH4007LPSQ-13DITR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1895pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29.1nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 40V 15.5A (Ta), 100A (Tc) 2.7W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

15.5A (Ta), 100A (Tc)

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Das Folgende sind "DMTH4007LPSQ-13" -Einziper.

DMTH4007SPDQ-13

DMTH4007SPDQ-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V POWERDI506

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH4007LK3-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH4004SPS-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH4007LK3Q-13

DMTH4007LK3Q-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 16.8A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH4007LPS-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH4007SPD-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH43M8LK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH43M8LPSQ-13

DMTH43M8LPSQ-13

Beschreibung: MOSFETN-CH 40VPOWERDI5060-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH4005SPS-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH4005SCT

DMTH4005SCT

Beschreibung: MOSFET NCH 40V 100A TO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH4011SPD-13

Beschreibung: MOSFETDUAL N-CHAN 40VPOWERDI5060

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH4005SK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 95A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH4011SPDQ-13

DMTH4011SPDQ-13

Beschreibung: MOSFETDUAL N-CHANPOWERDI5060-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH4007SPSQ-13

DMTH4007SPSQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 15.7A POWERDI506

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH4005SPSQ-13

DMTH4005SPSQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CH POWERDI5060-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH4007SPS-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH4007SK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CHA 40V 17.6A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH4004SPSQ-13

DMTH4004SPSQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 31A PWRDI5060-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH43M8LK3Q-13

DMTH43M8LK3Q-13

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH4005SK3Q-13

DMTH4005SK3Q-13

Beschreibung: MOSFET NCH 40V 95A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

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