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1782830DMTH6004LPS-13-Bild.Diodes Incorporated

DMTH6004LPS-13

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$1.738
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$0.90
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMTH6004LPS-13
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060-8
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PowerDI5060-8
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.8 mOhm @ 25A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    2.6W (Ta), 138W (Tc)
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    8-PowerTDFN
  • Andere Namen
    DMTH6004LPS-13DIDKR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    20 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    4515pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    96.3nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 60V 22A (Ta), 100A (Tc) 2.6W (Ta), 138W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    22A (Ta), 100A (Tc)
DMTH43M8LK3Q-13

DMTH43M8LK3Q-13

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMTH6004SK3-13

DMTH6004SK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CHA 60V 100A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMTH6002LPS-13

DMTH6002LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMTH43M8LK3-13

DMTH43M8LK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMTH6005LK3-13

DMTH6005LK3-13

Beschreibung: MOSFET 60V 90A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMTH6004SPSQ-13

DMTH6004SPSQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMTH6004SK3Q-13

DMTH6004SK3Q-13

Beschreibung: MOSFET NCH 60V 100A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMTH4011SPD-13

DMTH4011SPD-13

Beschreibung: MOSFETDUAL N-CHAN 40VPOWERDI5060

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMTH6004SCTBQ-13

DMTH6004SCTBQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 100A TO263

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMTH4007SPDQ-13

DMTH4007SPDQ-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V POWERDI506

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMTH4007SPS-13

DMTH4007SPS-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMTH4011SPDQ-13

DMTH4011SPDQ-13

Beschreibung: MOSFETDUAL N-CHANPOWERDI5060-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMTH6004LPSQ-13

DMTH6004LPSQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMTH43M8LPSQ-13

DMTH43M8LPSQ-13

Beschreibung: MOSFETN-CH 40VPOWERDI5060-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMTH6004SPS-13

DMTH6004SPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMTH4007SPSQ-13

DMTH4007SPSQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 15.7A POWERDI506

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMTH6005LCT

DMTH6005LCT

Beschreibung: MOSFET NCH 60V 100A TO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMTH4007SPD-13

DMTH4007SPD-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMTH6004SCTB-13

DMTH6004SCTB-13

Beschreibung: MOSFET N-CH

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMTH6004SCT

DMTH6004SCT

Beschreibung: MOSFET 60V 100A TO220-3

Hersteller: Diodes Incorporated
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