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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > ES1G-13-F
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6417000ES1G-13-F-Bild.Diodes Incorporated

ES1G-13-F

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$0.12
25000+
$0.11
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    ES1G-13-F
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 400V 1A SMA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    ES1G-13-F.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.25V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    400V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SMA
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    25ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AC, SMA
  • Andere Namen
    ES1G-FDITR
    ES1G13F
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 400V 1A Surface Mount SMA
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 400V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    20pF @ 4V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    ES1G

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ES1GL MTG

ES1GL MTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1FLHRQG

ES1FLHRQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1G M2G

ES1G M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1FLHMHG

ES1FLHMHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1GL R3G

ES1GL R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1FL RVG

ES1FL RVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1G-LTP

ES1G-LTP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1A 400V SMA

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
ES1FLHRHG

ES1FLHRHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1GL RFG

ES1GL RFG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1G-TP

ES1G-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Co
vorrätig
RFQ
ES1GHM2G

ES1GHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1GL MHG

ES1GL MHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1G R3G

ES1G R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1G

ES1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
ES1GL MQG

ES1GL MQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1FLHMQG

ES1FLHMQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1FLHMTG

ES1FLHMTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1GL M2G

ES1GL M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1GE-TP

ES1GE-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
ES1FL RUG

ES1FL RUG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
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