Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > ES3B-13
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
2396988ES3B-13-Bild.Diodes Incorporated

ES3B-13

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    ES3B-13
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 3A SMC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    ES3B-13.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    900mV @ 3A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    100V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SMC
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    25ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AB, SMC
  • Andere Namen
    ES3BDITR
    ES3BTR
    ES3BTR-ND
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 100V 3A Surface Mount SMC
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 100V
  • Strom - Richt (Io)
    3A
  • Kapazität @ Vr, F
    45pF @ 4V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    ES3B

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

2024/11/23

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

2024/11/22

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "ES3B-13" -Einziper.
ES3AHE3_A/I

ES3AHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES3AHE3_A/H

ES3AHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES3B-E3/57T

ES3B-E3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES3AHE3/9AT

ES3AHE3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES3B-M3/9AT

ES3B-M3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES3B R7G

ES3B R7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES3B-M3/57T

ES3B-M3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES3B-13-F

ES3B-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A SMC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ES3AHM6G

ES3AHM6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES3BB-13-F

ES3BB-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ES3B V6G

ES3B V6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES3BB-13

ES3BB-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ES3B/7T

ES3B/7T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES3B

ES3B

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A SMC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
ES3B-E3/9AT

ES3B-E3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES3B M6G

ES3B M6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES3B V7G

ES3B V7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES3B002WF1R1000

ES3B002WF1R1000

Beschreibung: CONN SSL RCPT 2POS 3.6MM SOLDER

Hersteller: JAE Electronics, Inc.
vorrätig
RFQ
ES3B002WF2R1000

ES3B002WF2R1000

Beschreibung: CONN SSL RCPT 2POS 3MM SOLDER

Hersteller: JAE Electronics, Inc.
vorrätig
RFQ
ES3AHR7G

ES3AHR7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.