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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > RS1G-13-F
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6574209RS1G-13-F-Bild.Diodes Incorporated

RS1G-13-F

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vorrätig
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10000+
$0.07
25000+
$0.066
50000+
$0.059
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RS1G-13-F
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 400V 1A SMA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RS1G-13-F.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.3V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    400V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SMA
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    150ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AC, SMA
  • Andere Namen
    RS1G-FDITR
    RS1G13F
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    7 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 400V 1A Surface Mount SMA
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 400V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    RS1G

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Das Folgende sind "RS1G-13-F" -Einziper.
RS1G120MNTB

RS1G120MNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1G M2G

RS1G M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1G

RS1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1E240GNTB

RS1E240GNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1E350BNTB

RS1E350BNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1G260MNTB

RS1G260MNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1G R3G

RS1G R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1G-M3/5AT

RS1G-M3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1E300GNTB

RS1E300GNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1G300GNTB

RS1G300GNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1G-E3/5AT

RS1G-E3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1G150MNTB

RS1G150MNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1G-13

RS1G-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS1G-M3/61T

RS1G-M3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1G-E3/61T

RS1G-E3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1E280GNTB

RS1E280GNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1E280BNTB

RS1E280BNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1E320GNTB

RS1E320GNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 32A 8-HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1G180MNTB

RS1G180MNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 18A 8HSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1G/1

RS1G/1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
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