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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > RS3K-13-F
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6250402RS3K-13-F-Bild.Diodes Incorporated

RS3K-13-F

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RS3K-13-F
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 800V 3A SMC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RS3K-13-F.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.3V @ 3A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    800V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SMC
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    500ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AB, SMC
  • Andere Namen
    RS3K-FDITR
    RS3K13F
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    6 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 800V 3A Surface Mount SMC
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 800V
  • Strom - Richt (Io)
    3A
  • Kapazität @ Vr, F
    50pF @ 4V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    RS3K

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS3K M6G

RS3K M6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS3K-E3/9AT

RS3K-E3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS3KB-13-F

RS3KB-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS3K-M3/9AT

RS3K-M3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS3K-E3/57T

RS3K-E3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS3JHE3_A/H

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS3K V7G

RS3K V7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
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RS3KHE3/57T

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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RS3K-M3/57T

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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RS3KHE3/9AT

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS3KHE3_A/H

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RS3K V6G

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Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RS3JHE3_A/I

RS3JHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RS3KB-13

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
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RS3KHE3_A/I

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

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RS3K R7G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RS3JHM6G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RS3JHR7G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RS3K-13

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