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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > S8NC-13
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873402S8NC-13-Bild.Diodes Incorporated

S8NC-13

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$0.29
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    S8NC-13
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A SMC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    S8NC-13.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 8A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    1200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SMC
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AB, SMC
  • Andere Namen
    S8NC-13DICT
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    7 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 1200V 8A Surface Mount SMC
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 1200V
  • Strom - Richt (Io)
    8A
  • Kapazität @ Vr, F
    40pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "S8NC-13" -Einziper.
NTS10100EMFST3G

NTS10100EMFST3G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 10A 5DFN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
JAN1N6640US

JAN1N6640US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
SGL41-60-E3/96

SGL41-60-E3/96

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
20ETS12STRL

20ETS12STRL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
F1892D1000

F1892D1000

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 90A MODULE

Hersteller: Crydom
vorrätig
RFQ
62-0245PBF

62-0245PBF

Beschreibung: DIODE SHOCTTKY

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
GP10D-4003HE3/54

GP10D-4003HE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SFA1004GHC0G

SFA1004GHC0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 10A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
V20DL45-M3/I

V20DL45-M3/I

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 20A TO263AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
MUR2540

MUR2540

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 25A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
S3GBHR5G

S3GBHR5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
B340CE-13

B340CE-13

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
S1K R3G

S1K R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
STPS5H100AFY

STPS5H100AFY

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 5A SOD128

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
MR756

MR756

Beschreibung: DIODE GP 600V 6A MICRODE BUTTON

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
UF1002-T

UF1002-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO41

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
B140-13-F

B140-13-F

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
AR3PK-M3/87A

AR3PK-M3/87A

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 800V 1.6A TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
LS4148 L1G

LS4148 L1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 450MA SOD80

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N5802US

1N5802US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
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