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3807442US1K-13-Bild.Diodes Incorporated

US1K-13

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    US1K-13
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 800V 1A SMA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    US1K-13.pdf
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Standard
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1A
  • Spannung - Durchschlag
    SMA
  • Serie
    -
  • RoHS Status
    Digi-Reel®
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Widerstand @ If, F
    10pF @ 4V, 1MHz
  • Polarisation
    DO-214AC, SMA
  • Andere Namen
    US1KDIDKR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    75ns
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    US1K-13
  • Expanded Beschreibung
    Diode Standard 800V 1A Surface Mount SMA
  • Diodenkonfiguration
    5µA @ 800V
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 800V 1A SMA
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1.7V @ 1A
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    800V
  • Kapazität @ Vr, F
    -65°C ~ 150°C

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Das Folgende sind "US1K-13" -Einziper.
US1KHE3/5AT

US1KHE3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1K-E3/61T

US1K-E3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1JFL-TP

US1JFL-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO221AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
US1JHE3/5AT

US1JHE3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1JHE3_A/H

US1JHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1K-E3/5AT

US1K-E3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1K-TP

US1K-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
US1KHE3_A/H

US1KHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1K R3G

US1K R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
US1JFA

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123FA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
US1JHM2G

US1JHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
US1JHE3_A/I

US1JHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1KHE3/61T

US1KHE3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1JHE3/61T

US1JHE3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1K-M3/61T

US1K-M3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1JHR3G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
US1K-13-F

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
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US1K-M3/5AT

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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US1KFA

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Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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US1K M2G

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