Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > ZVN3306ASTOB
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
5185033

ZVN3306ASTOB

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    ZVN3306ASTOB
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    ZVN3306ASTOB.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    E-Line (TO-92 compatible)
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5 Ohm @ 500mA, 10V
  • Verlustleistung (max)
    625mW (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    E-Line-3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    35pF @ 18V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 60V 270mA (Ta) 625mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    270mA (Ta)

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

2024/11/23

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

2024/11/22

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "ZVN3306ASTOB" -Einziper.
ZVN3310ASTOA

ZVN3310ASTOA

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZVN3320A

ZVN3320A

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZVN2120GTA

ZVN2120GTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZVN2535ASTZ

ZVN2535ASTZ

Beschreibung: MOSFET N-CH 350V 0.09A TO92-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZVN3310FTC

ZVN3310FTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100MA SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZVN3310ASTOB

ZVN3310ASTOB

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZVN3306ASTZ

ZVN3306ASTZ

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZVN3306ASTOA

ZVN3306ASTOA

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZVN3310A

ZVN3310A

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZVN2120GTC

ZVN2120GTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 0.32A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZVN3306A

ZVN3306A

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZVN3306FTC

ZVN3306FTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.15A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZVN3310FTA

ZVN3310FTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V .1A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZVN2535ASTOA

ZVN2535ASTOA

Beschreibung: MOSFET N-CH 350V 0.09A TO92-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZVN2120ASTOA

ZVN2120ASTOA

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZVN3310ASTZ

ZVN3310ASTZ

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZVN3306FTA

ZVN3306FTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZVN2120ASTOB

ZVN2120ASTOB

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZVN2535ASTOB

ZVN2535ASTOB

Beschreibung: MOSFET N-CH 350V 0.09A TO92-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZVN2120ASTZ

ZVN2120ASTZ

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.