Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > ZVN4306GTC
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
1680106ZVN4306GTC-Bild.Diodes Incorporated

ZVN4306GTC

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    ZVN4306GTC
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    ZVN4306GTC.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-223
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    330 mOhm @ 3A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    3W (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-261-4, TO-261AA
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    350pF @ 25V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 60V 2.1A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    2.1A (Ta)

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "ZVN4306GTC" -Einziper.
ZVN4210GTC

ZVN4210GTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZVN4306AVSTOB

ZVN4306AVSTOB

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZVN4306AVSTZ

ZVN4306AVSTZ

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZVN4310A

ZVN4310A

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 0.9A TO92-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZVN4306AVSTOA

ZVN4306AVSTOA

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZVN4306ASTZ

ZVN4306ASTZ

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZVN4424A

ZVN4424A

Beschreibung: MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZVN4306ASTOA

ZVN4306ASTOA

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZVN4306AV

ZVN4306AV

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZVN4306A

ZVN4306A

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZVN4310ASTOB

ZVN4310ASTOB

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 0.9A TO92-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZVN4424ASTOB

ZVN4424ASTOB

Beschreibung: MOSFET N-CH 240V 0.26A TO92-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZVN4310GTA

ZVN4310GTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.67A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZVN4310GTC

ZVN4310GTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.67A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZVN4306GTA

ZVN4306GTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZVN4424ASTOA

ZVN4424ASTOA

Beschreibung: MOSFET N-CH 240V 0.26A TO92-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZVN4310ASTZ

ZVN4310ASTZ

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 0.9A TO92-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZVN4306GVTA

ZVN4306GVTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZVN4306ASTOB

ZVN4306ASTOB

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZVN4306GVTC

ZVN4306GVTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.