Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > ZXM64N035GTA
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
4537737ZXM64N035GTA-Bild.Diodes Incorporated

ZXM64N035GTA

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    ZXM64N035GTA
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 35V 6.7A SOT223
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    ZXM64N035GTA.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-223
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    50 mOhm @ 3.7A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    2W (Ta)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-261-4, TO-261AA
  • Andere Namen
    ZXM64N035GCT
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    950pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    27nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    35V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 35V 4.8A (Ta), 6.7A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    4.8A (Ta), 6.7A (Tc)

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "ZXM64N035GTA" -Einziper.
ZXM64N03XTA

ZXM64N03XTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5A 8-MSOP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXM62P03GTA

ZXM62P03GTA

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 2.9A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXM66N03N8TA

ZXM66N03N8TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXM63N02E6TA

ZXM63N02E6TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXM62N03GTA

ZXM62N03GTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V ENHANCE SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXM62N03E6TA

ZXM62N03E6TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-23-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXM64P035GTA

ZXM64P035GTA

Beschreibung: MOSFET P-CH 35V 3.8A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXM64P03XTC

ZXM64P03XTC

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8MSOP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXM62P03E6TC

ZXM62P03E6TC

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXM64N02XTA

ZXM64N02XTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-MSOP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXM64N02XTC

ZXM64N02XTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8MSOP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXM64N03XTC

ZXM64N03XTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5A 8MSOP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXM64P035L3

ZXM64P035L3

Beschreibung: MOSFET P-CH 35V 12A TO-220-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXM66N02N8TA

ZXM66N02N8TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 9A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXM62P02E6TA

ZXM62P02E6TA

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXM62P03E6TA

ZXM62P03E6TA

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT-23-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXM61P03FTC

ZXM61P03FTC

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXM64P02XTC

ZXM64P02XTC

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXM64P02XTA

ZXM64P02XTA

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-MSOP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXM64P03XTA

ZXM64P03XTA

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-MSOP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.