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1817144

ZXMP7A17GTA-Bild.

Diodes Incorporated

ZXMP7A17GTA

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Spezifikation

Artikelnummer

ZXMP7A17GTA
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 70V 3.7A SOT-223
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS-konform
Datenblätte

ZXMP7A17GTA.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-223
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

160 mOhm @ 2.1A, 10V
Verlustleistung (max)

2W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-261-4, TO-261AA
Andere Namen

ZXMP7A17GTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

635pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

70V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 70V 2.6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

2.6A (Ta)

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Das Folgende sind "ZXMP7A17GTA" -Einziper.

ZXMS6002GTA

Beschreibung: IC MOSFET N-CHAN 60V SOT-223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMP7A17KQTC

Beschreibung: MOSFET P-CH 70V 3.8A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMP6A17E6TA

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 3A SOT-23-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMP6A17GQTA

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 3A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMS6001N3TA

Beschreibung: MOSFET N-CH PROTECTED 60V SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMP6A18KTC

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 6.8A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMP6A17KTC

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 4.4A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMP6A17DN8TA

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMS6004DN8Q-13

ZXMS6004DN8Q-13

Beschreibung: LOW SIDE INTELLIFET SO-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMS6004DGTA

Beschreibung: IC LOW SIDE DRIVER SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMS6002GQTA

Beschreibung: IC MOSFET N-CHAN 60V SOT-223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMS6004DN8-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 1.3A SO8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMP7A17KTC

Beschreibung: MOSFET P-CH 70V 5.7A D PAK

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMP7A17GQTA

Beschreibung: MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMP6A17E6QTA

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 3A SOT-23-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMP6A17GTA

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 3A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMP6A17N8TC

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 2.7A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMP6A18DN8TA

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 60V 3.7A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMS6003GTA

Beschreibung: IC MOSFET N-CHAN 60V SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMS6004DT8QTA

Beschreibung: IC LOW SIDE DRIVER

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

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