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EPC2107ENGRT-Bild.

EPC

EPC2107ENGRT

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Spezifikation

Artikelnummer

EPC2107ENGRT
Hersteller / Marke

EPC
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

EPC2107ENGRT.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Supplier Device-Gehäuse

9-BGA (1.35x1.35)
Serie

eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
Leistung - max

-
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

9-VFBGA
Andere Namen

917-EPC2107ENGRDKR
Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Typ FET

3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET-Merkmal

GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

1.7A, 500mA

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Das Folgende sind "EPC2107ENGRT" -Einziper.

EPC2108ENGRT

Beschreibung: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE

Hersteller: EPC

vorrätig

EPC2110

Beschreibung: MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE

Hersteller: EPC

vorrätig

EPC2105ENGRT

Beschreibung: MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE

Hersteller: EPC

vorrätig

EPC2103ENGRT

Beschreibung: TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V

Hersteller: EPC

vorrätig

EPC2107

Beschreibung: MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA

Hersteller: EPC

vorrätig

EPC2115ENGRT

Beschreibung: 150 V GAN IC DUAL FET DRIVER

Hersteller: EPC

vorrätig

EPC2104

Beschreibung: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

Hersteller: EPC

vorrätig

EPC2108

Beschreibung: MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA

Hersteller: EPC

vorrätig

EPC2111ENGRT

Beschreibung: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Hersteller: EPC

vorrätig

EPC2202

Beschreibung: GANFET N-CH 80V 18A DIE

Hersteller: EPC

vorrätig

EPC2105ENG

Beschreibung: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

Hersteller: EPC

vorrätig

EPC2104ENG

Beschreibung: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Hersteller: EPC

vorrätig

EPC2106ENGRT

Beschreibung: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Hersteller: EPC

vorrätig

EPC2112ENGRT

Beschreibung: 200 V GAN IC FET DRIVER

Hersteller: EPC

vorrätig

EPC2105

Beschreibung: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Hersteller: EPC

vorrätig

EPC2106

Beschreibung: TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE

Hersteller: EPC

vorrätig

EPC2110ENGRT

Beschreibung: TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE

Hersteller: EPC

vorrätig

EPC2104ENGRT

Beschreibung: MOSFET 2NCH 100V 23A DIE

Hersteller: EPC

vorrätig

EPC2111

Beschreibung: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Hersteller: EPC

vorrätig

EPC2203

Beschreibung: GANFET N-CH 80V 1.7A 6SOLDER BAR

Hersteller: EPC

vorrätig

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