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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1N4001E-E3/54
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70033101N4001E-E3/54-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

1N4001E-E3/54

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  • Artikelnummer
    1N4001E-E3/54
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1N4001E-E3/54.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    50V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-204AL (DO-41)
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Andere Namen
    1N4001E-E3/54-ND
    1N4001E-E3/54GITR
    1N4001EE354
    IN4001E-E3/54
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -50°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    23 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 50V 1A Through Hole DO-204AL (DO-41)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 50V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    1N4001

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1N4001G R1G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N4001E-E3/73

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4001-TP

1N4001-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1N4001/54

1N4001/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4001G

1N4001G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4001G

1N4001G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
1N4001-T

1N4001-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N4001GHA0G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N4001B-G

1N4001B-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
1N4001G R0G

1N4001G R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N4001-N-2-1-BP

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1N4001-N-2-2-BP

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1N4001-N-0-4-AP

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
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1N4001G-T

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
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1N4001-N-2-3-AP

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
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1N4001-N-2-4-AP

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1N4001-N-0-3-AP

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
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Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE DO41

Hersteller: Central Semiconductor
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1N4001G A0G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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1N4001G B0G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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