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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1N4385GP-E3/54
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15151801N4385GP-E3/54-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

1N4385GP-E3/54

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N4385GP-E3/54
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1N4385GP-E3/54.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-204AC (DO-15)
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    SUPERECTIFIER®
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    2µs
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-204AC, DO-15, Axial
  • Andere Namen
    1N4385GP-E3/54-ND
    1N4385GP-E3/54GITR
    1N4385GPE354
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    48 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 1A Through Hole DO-204AC (DO-15)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    1N4385

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Das Folgende sind "1N4385GP-E3/54" -Einziper.
1N4436

1N4436

Beschreibung: SINGLE PHASE BRIDGE RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N4437_FT

1N4437_FT

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 400V TO3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N4446_T50R

1N4446_T50R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4446

1N4446

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N4384GP-E3/73

1N4384GP-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
1N4372A

1N4372A

Beschreibung: DIODE ZENER 3V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N4383GPHE3/54

1N4383GPHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4446 TR

1N4446 TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4372A_T50R

1N4372A_T50R

Beschreibung: DIODE ZENER 3V 500MW DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4444-1

1N4444-1

Beschreibung: DIODE SWITCHING

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N4384GP-E3/54

1N4384GP-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
1N4383GP-E3/54

1N4383GP-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
1N4446TR

1N4446TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4372A_T50A

1N4372A_T50A

Beschreibung: DIODE ZENER 3V 500MW DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4446

1N4446

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4385GPHE3/54

1N4385GPHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4446 BK

1N4446 BK

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4384GPHE3/73

1N4384GPHE3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4372A

1N4372A

Beschreibung: DIODE ZENER 3V 500MW DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4384GPHE3/54

1N4384GPHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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