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12632221N6480HE3/97-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

1N6480HE3/97

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  • Artikelnummer
    1N6480HE3/97
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.1N6480HE3/97.pdf
    2.1N6480HE3/97.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-213AB
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    SUPERECTIFIER®
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-213AB, MELF (Glass)
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 200V 1A Surface Mount DO-213AB
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    8pF @ 4V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    1N6480

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N6480-E3/97

1N6480-E3/97

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N6482-E3/96

1N6482-E3/96

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N6483-E3/97

1N6483-E3/97

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N6481-E3/96

1N6481-E3/96

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N6481HE3/96

1N6481HE3/96

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N6479-E3/96

1N6479-E3/96

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
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1N648-1

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 400MA DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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1N6478HE3/97

1N6478HE3/97

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N6479HE3/97

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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1N6480HE3/96

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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1N6482-E3/97

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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1N6479-E3/97

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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1N6480-E3/96

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 400MA DO213

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
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Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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1N6481HE3/97

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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