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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 85EPF04
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443126285EPF04-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

85EPF04

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    85EPF04
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 400V 85A POWIRTAB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.3V @ 85A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    400V
  • Supplier Device-Gehäuse
    PowIRtab™
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    190ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    PowerTab™, PowIRtab™
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -40°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 400V 85A Through Hole PowIRtab™
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    100µA @ 400V
  • Strom - Richt (Io)
    85A
  • Kapazität @ Vr, F
    -
GPA805 C0G

GPA805 C0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
GI250-3-M3/54

GI250-3-M3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
FDH3595

FDH3595

Beschreibung: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
VS-HFA16PB120-N3

VS-HFA16PB120-N3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 16A TO247AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BYT08P-1000

BYT08P-1000

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220AC

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
S15JCHM6G

S15JCHM6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 15A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RGL34B-E3/98

RGL34B-E3/98

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SF15GHR0G

SF15GHR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
HS1ML MTG

HS1ML MTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
VS-60EPS16-M3

VS-60EPS16-M3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.6KV 60A TO247AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RB162MM-40TR

RB162MM-40TR

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 1A PMDU

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
SS35 R7G

SS35 R7G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 50V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RB551VM-30TE-17

RB551VM-30TE-17

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA UMD2

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
MBRF1045

MBRF1045

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V ITO220AC

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RL107-N-2-4-AP

RL107-N-2-4-AP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A A-405

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
SS12L M2G

SS12L M2G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
S3JB-13-F

S3JB-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
FML-G13S

FML-G13S

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 5A TO220F-2L

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
ES2G-M3/52T

ES2G-M3/52T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
JANS1N5806

JANS1N5806

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig

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