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1933992BYT51B-TR-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

BYT51B-TR

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  • Artikelnummer
    BYT51B-TR
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE AVALANCHE 100V 1.5A SOD57
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    BYT51B-TR.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    100V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOD-57
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    4µs
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOD-57, Axial
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Avalanche
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Avalanche 100V 1.5A Through Hole SOD-57
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1µA @ 100V
  • Strom - Richt (Io)
    1.5A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Beschreibung: DIODE AVALANCHE 50V 1.5A SOD57

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BYT51M-TR

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Beschreibung: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A SOD57

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 30A DOP3I

Hersteller: STMicroelectronics
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BYT30PI-1000

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 30A DOP3I

Hersteller: STMicroelectronics
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BYT51J-TAP

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Beschreibung: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A SOD57

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Beschreibung: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A SOD57

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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BYT51G-TAP

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Beschreibung: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A SOD57

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Beschreibung: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A SOD57

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 30A D2PAK

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Beschreibung: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A SOD57

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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BYT51M-TAP

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Beschreibung: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A SOD57

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 30A DOP3I

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