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BZD27B110P-M3-08

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    BZD27B110P-M3-08
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE ZENER 110V 0.8W DO-219AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Zener (Nom) (Vz)
    110V
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.2V @ 200mA
  • Toleranz
    -
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-219AB (SMF)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, BZD27B-M
  • Leistung - max
    800mW
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-219AB
  • Andere Namen
    BZD27B110P-M3-08GICT
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    42 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Impedanz (Max) (Zzt)
    250 Ohms
  • detaillierte Beschreibung
    Zener Diode 110V 800mW Surface Mount DO-219AB (SMF)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1µA @ 82V
BZD27B120P-HE3-08

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Beschreibung: DIODE ZENER 120V 0.8W DO-219AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
BZD27B10P-HE3-08

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Beschreibung: DIODE ZENER 10V 0.8W DO-219AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
BZD27B110P-HE3-08

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Beschreibung: DIODE ZENER 110V 0.8W DO-219AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
BZD27B11P-M3-18

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Beschreibung: DIODE ZENER 11V 0.8W DO-219AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BZD27B11P-E3-18

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Beschreibung: DIODE ZENER 11V 0.8W DO-219AB

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vorrätig
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BZD27B10P-HE3-18

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