BZD27B56P-E3-08

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig

30000+

$0.098

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

BZD27B56P-E3-08
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE ZENER 56V 0.8W DO-219AB
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

BZD27B56P-E3-08.pdf
Spannung - Zener (Nom) (Vz)

56V
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 200mA
Toleranz

-
Supplier Device-Gehäuse

DO-219AB (SMF)
Serie

Automotive, AEC-Q101, BZD27B
Leistung - max

800mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

DO-219AB
Betriebstemperatur

-65°C ~ 175°C
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

40 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Impedanz (Max) (Zzt)

60 Ohms
detaillierte Beschreibung

Zener Diode 56V 800mW Surface Mount DO-219AB (SMF)
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

1µA @ 43V

Das Folgende sind "BZD27B56P-E3-08" -Einziper.

BZD27B5V1P-HE3-08

Beschreibung: DIODE ZENER 5.1V 0.8W DO-219AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division

vorrätig

RFQ

BZD27B56P-M3-18

Beschreibung: DIODE ZENER 56V 0.8W DO-219AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

BZD27B51P-E3-18

Beschreibung: DIODE ZENER 51V 0.8W DO-219AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

BZD27B56P-E3-18

Beschreibung: DIODE ZENER 56V 0.8W DO-219AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

BZD27B56P-M3-08

Beschreibung: DIODE ZENER 56V 0.8W DO-219AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

BZD27B4V7P-M3-18

Beschreibung: DIODE ZENER 4.7V 0.8W DO-219AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

BZD27B4V7P-HE3-08

Beschreibung: DIODE ZENER 4.7V 0.8W DO-219AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division

vorrätig

RFQ

BZD27B5V1P-E3-18

Beschreibung: DIODE ZENER 5.1V 0.8W DO-219AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

BZD27B5V1P-HE3-18

Beschreibung: DIODE ZENER 5.1V 0.8W DO-219AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division

vorrätig

RFQ

BZD27B56P-HE3-18

Beschreibung: DIODE ZENER 56V 0.8W DO-219AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division

vorrätig

RFQ

BZD27B51P-HE3-08

Beschreibung: DIODE ZENER 51V 0.8W DO-219AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division

vorrätig

RFQ

BZD27B5V1P-M3-08

Beschreibung: DIODE ZENER 5.1V 0.8W DO-219AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

BZD27B51P-M3-08

Beschreibung: DIODE ZENER 51V 0.8W DO-219AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

BZD27B51P-M3-18

Beschreibung: DIODE ZENER 51V 0.8W DO-219AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

BZD27B4V7P-M3-08

Beschreibung: DIODE ZENER 4.7V 0.8W DO-219AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

BZD27B56P-HE3-08

Beschreibung: DIODE ZENER 56V 0.8W DO-219AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division

vorrätig

RFQ

BZD27B51P-E3-08

Beschreibung: DIODE ZENER 51V 0.8W DO-219AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

BZD27B5V1P-E3-08

Beschreibung: DIODE ZENER 5.1V 0.8W DO-219AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

BZD27B4V7P-HE3-18

Beschreibung: DIODE ZENER 4.7V 0.8W DO-219AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division

vorrätig

RFQ

BZD27B51P-HE3-18

Beschreibung: DIODE ZENER 51V 0.8W DO-219AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division

vorrätig

RFQ

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Vorabregistrierung

BZD27B56P-E3-08

Online-Anfrage

Referenzpreis (in US-Dollar)

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

BZD27B5V1P-HE3-08

BZD27B56P-M3-18

BZD27B51P-E3-18

BZD27B56P-E3-18

BZD27B56P-M3-08

BZD27B4V7P-M3-18

BZD27B4V7P-HE3-08

BZD27B5V1P-E3-18

BZD27B5V1P-HE3-18

BZD27B56P-HE3-18

BZD27B51P-HE3-08

BZD27B5V1P-M3-08

BZD27B51P-M3-08

BZD27B51P-M3-18

BZD27B4V7P-M3-08

BZD27B56P-HE3-08

BZD27B51P-E3-08

BZD27B5V1P-E3-08

BZD27B4V7P-HE3-18

BZD27B51P-HE3-18

Sprache auswählen

Aktuelle Sprache